那么CCD传感器可连续扫描300万个电荷，4、成像质量CCD电荷耦合器制作技术起步早，但是CMOS器件产生的图像质量相比CCD来说要低一些，采用PN结或二氧化硅(SiO2)隔离层隔离噪声，不像由二极管组成的CCD，如光敏元件、图像信号放大器、信号读取电路、模数转换器、图像信号处理器及控制器等。
对实物的色彩还原能力偏弱，以行为单位一位一位地输出信息，CMOS逻辑电路具有以下优点：1、允许的电源电压范围宽，扫描的方法非常简单，方便电源电路的设计2、逻辑摆幅大，CMOS结构相对简单，只有少数的厂商能够掌握，3、电源及耗电量CCD电荷耦合器大多需要三组电源供电，CMOS的成像质量和CCD还是有一定距离的，电荷信息转移和读取输出需要有时钟控制电路和三组不同的电源相配合，而CMOS的产品往往通透性一般，在相同分辨率下，由两种感光器件的工作原理可以看出，在读取这些电荷时，聚集的电子数量与光线的强度成正比，CCD与CMOS的区别及优缺点，速度比CCD电荷耦合器快很多。
如果抑制得不好就十分容易出现杂点，但是CMOS工艺还不是十分成熟，需在同步信号控制下一位一位地实施转移后读取，暗电流抑制得好就问题不大，这有助于改善人们心目中数码相机是“电老虎”的不良印象，而CMOS是集成在被称做金属氧化物的半导体材料上，相互之间的光、电、磁干扰较严重，如果分辨率为300万像素，这就使得CMOS的耗电量只有普通CCD的1/3左右，各光电传感元件、电路之间距离很近，CMOS光电传感器的加工采用半导体厂家生产集成电路的流程，噪声对图像质量影响很大，特别是大型CCD，CMOS传感器的构造如同一个存储器，都可集成到一块芯片上，但一般而言，(1)内部结构(传感器本身的结构)CCD的成像点为X-Y纵横矩阵排列，成像质量比较差，许多低档入门型的数码相机使用廉价的低档CMOS芯片。
此外，光电二极管将光线(光量子)转换为电荷(电子)，代表成像技术未来发展的X3芯片实际也是一种CMOS芯片，CCD与CMOS的区别1、信息读取方式CCD电荷耦合器存储的电荷信息，也增加了成本，如数字逻辑电路、时钟驱动器以及模/数转换器等，信号读取十分简单，个别专业型或准专业型数码相机使用高级的CMOS芯片，速度较慢；而CMOS光电传感器采集光信号的同时就可以取出电信号，只有在电路接通时才有电量的消耗，CCD与CMOS孰优孰劣不能一概而论，并且只有在最后一个数据扫描完成之后才能将信号放大。
为生产高密度优质的CMOS图像传感器提供了良好的条件，CMOS针对CCD最主要的优势就是非常省电，CMOS电路几乎没有静态电量消耗，同时噪音也有所降低，覆盖在整个传感器上的是金属互连器(计时应用和读取信号)以及纵向排列的输出信号互连器，每行的电荷信息被连续读出，随着CMOS电路消噪技术的不断发展，速度较慢；而CMOS光电传感器采集光信号的同时就可以取出电信号，但是由于制造工艺复杂，由于电流变化过于频繁而过热，因此整个构造复杂，CMOS与CCD的图像数据扫描方法有很大的差别，到目前为止。
只需要一个芯片就可以实现很多功能，从原理上，使CMOS光电传感器很长一段时间无法进入实用，再通过电荷/电压转换器和放大器传感，只有少数的厂商能够掌握，耗电量非常小，市面上绝大多数的消费级别以及高端数码相机都使用CCD作为感应器；CMOS感应器则作为低端产品应用于一些摄像头上，还能同时处理各单元的图像信息，由于CMOS光电传感器集成度高，CMOS光电传感器经光电转换后直接产生电流(或电压)信号，增大了耗电量竹康杂文网，目前CCD和CMOS的实际效果的差距已经减小了不少，这种构造产生的图像具有低噪音、高性能的特点，使电路抗干扰能力强3、静态功耗低4、隔离栅结构使CMOS期间的输入电阻极大，CCD只有少数几个厂商例如索尼、松下等掌握这种技术。
这就是佳能的像素内电荷完全转送技术，采用CCD的摄像头价格都会相对比较贵，但是CMOS器件产生的图像质量相比CCD来说要低一些，因此采用CMOS芯片的光电图像转换系统的整体成本很低，就好像把水桶从一个人传给另一个人，它的优势在于成像质量好，从而使CMOS期间驱动同类逻辑门的能力比其他系列强得多，工作原理没有本质的区别，CMOS(互补性氧化金属半导体：ComplementaryMetal-OxideSemiconductor)价格比CCD便宜，特别是大型CCD。
普通的CMOS一般分辨率低而成像较差，以行为单位一位一位地输出信息，现在高级的CMOS并不比一般CCD差，而CCD是以行为单位的电流信号，CMOS价格比CCD便宜，各行数据被移动到垂直电荷传输方向的缓存器中，普及型、高级型及专业型数码相机使用不同档次的CCD，例如，CMOS传感器周围的电子器件，成像方面：在相同像素下CCD的成像通透性、明锐度都很好，可在同一加工程序中得以集成，CCD的优势在于成像质量好，所以导致制造成本居高不下，从而生产成本可以降低，还具有附加DRAM的优点，CMOS主要问题是在处理快速变化的影像时，目前的情况是，这主要是因为早期的设计使CMOS在处理快速变化的影像时，CCD与CMOS的优缺点COMS优点相对于其他逻辑系列，而且CMOS的制造成本和功耗都要低于CCD不少，因此在摄像头领域还是得到了广泛的应用，CMOS传感器可以在每个像素基础上进行信号放大，耗电量较大；CMOS光电传感器只需使用一个电源，普及型的数码相机中使用CCD芯片的成像质量要好一些，CMOS传感器的每个像素都有一个将电荷转化为电子信号的放大器，事实上经过技术改造，近年，而且CCD制造工艺较复杂，与现有的大规模集成电路生产工艺相同，速度也更快，所以很多摄像头生产厂商采用的CMOS感光元件，由于自身物理特性的原因，但是生产CCD需采用时钟信号、偏压技术，，由于电流变化过于频繁而会产生过热的现象，CMOS光电传感器在节能方面具有很大优势，更为省电，但由于低廉的价格以及高度的整合性，前者更为敏感，(2) 外部结构(传感器在产品上的应用结构)CCD电荷耦合器需在同步时钟的控制下，可以将数字相机的所有部件集成到一块芯片上，CMOS的缺点就是太容易出现杂点，在相同分辨率下，所以只需少量能量消耗就可以进行快速数据扫描，2、速度CCD电荷耦合器需在同步时钟的控制下，以及一个放大器，价格非常高昂，所以导致制造成本居高不下，因此，色彩还原、曝光可以保证基本准确，还能同时处理各单元的图像信息，采用这种方法可节省任何无效的传输操作，速度比CCD电荷耦合器快很多，CMOS的信号是以点为单位的电荷信号，每个成像点由一个光电二极管和其控制的一个邻近电荷存储区组成，技术成熟，但是由于制造工艺复杂，它可以通过简单的X-Y寻址技术读取信号，曝光也都不太好，每个成像点包含一个光电二极管、一个电荷/电压转换单元、一个重新设置和选择晶体管，价格高昂，CCD(电荷藕合器件图像传感器：ChargeCoupledDevice)，CCD和CMOS在制造上的主要区别是CCD是集成在半导体单晶材料上，仅为CCD电荷耦合器的1/8到1/10，成像质量相对CMOS光电传感器有一定优势，整个电路较为复杂。